Los primeros transistores fueron inventados en 1947 por John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain
Los transistores que proponen los físicos del MIT son capaces de conmutar cien mil millones de veces sin degradarse
Aunque sus precursores son aún más antiguos, los primeros transistores tal y como los conocemos actualmente fueron inventados en 1947 por John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, tres físicos de los Laboratorios Bell. Una forma sencilla de definir un transistor nos invita a describirlo como un dispositivo electrónico semiconductor que es capaz de responder a una señal de entrada entregándonos una salida determinada. Un amplificador electrónico, por ejemplo, incrementará en su salida la potencia, la tensión o la corriente de la señal que coloquemos en su entrada, recurriendo, eso sí, a una fuente de alimentación externa.
Existen varios tipos de transistores (bipolares, de contacto puntual, de efecto campo, uniunión, de electrón único, fototransistores, electroquímicos orgánicos, etc.), pero, afortunadamente, no hace falta que profundicemos en ellos mucho más para poder seguir adelante con este artículo. Nos basta conocer dos datos más acerca de estos dispositivos. Por un lado, que son elementos activos dentro de los circuitos integrados. Y, además, que los que nos han permitido alcanzar el nivel de integración que utilizan las técnicas litográficas actuales son los de efecto campo (FET).
Así se las gasta el transistor más rápido y resistente creado hasta ahora
El físico español Pablo Jarillo-Herrero y sus colegas del MIT (Instituto Tecnológico de Massachusetts), en EEUU, hablaron del potencial del nitruro de boro en un artículo científico que publicaron en Science en 2021. En aquel momento su propuesta era tan solo teórica, pero tres años después han llevado sus ideas a la práctica. Y sí, tienen un potencial enorme. Lo que han hecho, en definitiva, es fabricar un nuevo tipo de transistores utilizando un material ferroeléctrico ultradelgado constituido de nitruro de boro (es un compuesto extremadamente duro constituido en la misma proporción por boro y nitrógeno).
"En mi laboratorio ante todo hacemos física fundamental [...] Este es uno de los primeros ejemplos, quizá el más contundente, de cómo la ciencia básica nos ha llevado a algo que tiene la capacidad de ejercer un gran impacto gracias a sus aplicaciones", sostiene Pablo Jarillo. Esta declaración de este científico se sostiene sobre el hecho de que los transistores que ha creado su equipo tienen una velocidad de conmutación, una resistencia y un tamaño tan compacto que presumiblemente pueden dar lugar a una nueva electrónica capaz de entregarnos dispositivos mucho más rápidos y eficientes desde un punto de vista energético que los actuales.
Estos científicos del MIT han publicado los resultados preliminares de sus pruebas con los transistores de nitruro de boro en Science, y en su artículo hacen hincapié en otra característica fundamental de estos dispositivos: son inmunes al desgaste que a medio o largo plazo degrada otros materiales similares. Raymond Ashoori, otro de los responsables de esta investigación, explica el impacto que esta propiedad puede tener en los futuros dispositivos electrónicos que presumiblemente utilizarán este nuevo tipo de transistores.
"El milagro es que al deslizar las dos capas que constituyen los transistores unos pocos ángstroms obtienes una electrónica radicalmente diferente. Y en el deslizamiento no se desgasta nada. Cada vez que escribes o borras datos en una memoria flash se produce cierta degradación. De hecho, con el tiempo se desgasta, por lo que es necesario poner a punto métodos muy sofisticados para distribuir dónde estás leyendo o escribiendo en el chip", puntualiza Ashoori. Suena muy bien. Todo suena realmente bien, pero es importante que tengamos en cuenta que esta tecnología todavía no ha salido del laboratorio. Y cuando lo haga, entre otros desafíos, tendrá que demostrar su escalabilidad. En cualquier caso, no cabe duda de que estamos ante algo muy prometedor.
Font, article de Juan Carlos López per a "Xakata"
No hay comentarios:
Publicar un comentario